MTW32N20E Power MOSFET Enhancement 32 Amps, 200 Volts TO-247
Product Category: MOSFET
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247-3
Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V
Id – Continuous Drain Current: 32 A
Rds On – Drain-Source Resistance: 75 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: – 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature: – 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd – Power Dissipation: 180 W
Channel Mode: Enhancement
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Width: 5.3 mm
Forward Transconductance – Min: 12 S
Fall Time: 91 ns
Rise Time: 120 ns
E’ in vendita quello che si vede in foto
Nessuna garanzia di funzionamento fondo di magazzino materiale surplus
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