1PCS VS-GT120DA65U Vishay
Insulated Gate Bipolar Transistor (Trench IGBT), 650 V, 120 A
Produttore: Vishay
Package/involucro: SOT-227-4
Stile di montaggio: SMD/SMT
Configurazione: Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 650 V
Tensione gate-emettitore massima: 20 V
Collettore a corrente continua a 25 °C: 167 A
Pd – Dissipazione di potenza: 577 W
Temperatura di lavoro minima: – 40 C
Temperatura di lavoro massima: + 175 C
Corrente continua di collettore Ic max: 167 A
Marchio: Vishay Semiconductors
Corrente di perdita gate-emettitore: 660 nA
Tipo di prodotto: IGBT Transistors
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